Detalhes do Produto
Circuito Integrado 4506GEH = AP4506GEH
Mosfet AP4506GEH
Designador de tipo: AP4506GEH
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de controle: NP -Canal
Dissipação máxima de energia (Pd): 3,1 W
Tensão máxima da fonte de drenagem Vds: 30 V
Tensão máxima da fonte da porta Vgs: 20 V
Tensão máxima de limiar de porta Vgs (th): 3 V
Corrente máxima de drenagem Id: 9 (8) A
Temperatura Máxima de Junção (Tj): 150 ° C
Tempo de subida (tr): 18 (16) nS
Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 100 (220) pF
Resistência máxima ligada da fonte de drenagem (Rds): 0,024 (0,036) Ohm
Pacote: TO252-4L
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet AP4506GEH
Designador de tipo: AP4506GEH
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de controle: NP -Canal
Dissipação máxima de energia (Pd): 3,1 W
Tensão máxima da fonte de drenagem Vds: 30 V
Tensão máxima da fonte da porta Vgs: 20 V
Tensão máxima de limiar de porta Vgs (th): 3 V
Corrente máxima de drenagem Id: 9 (8) A
Temperatura Máxima de Junção (Tj): 150 ° C
Tempo de subida (tr): 18 (16) nS
Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 100 (220) pF
Resistência máxima ligada da fonte de drenagem (Rds): 0,024 (0,036) Ohm
Pacote: TO252-4L
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Especificações Técnicas
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