Detalhes do Produto
Circuito Integrado FDS5682
Mosfet Canal N 60 Volts
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SO-8
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 7.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 17 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2,5 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Bobina
Configuração: Sozinho
Altura: 1,75 mm
Comprimento: 4,9 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 3,9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 17 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 13 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 67 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 9 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet Canal N 60 Volts
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SO-8
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 7.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 17 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2,5 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Bobina
Configuração: Sozinho
Altura: 1,75 mm
Comprimento: 4,9 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 3,9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 17 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 13 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 67 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 9 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | ON Semi |
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