Circuito Integrado IRFD110

Compartilhe:

Detalhes do Produto Circuito Integrado IRFD110

Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: HVMDIP-4
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 600 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 3,4 mm
Comprimento: 5,02 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 6,29 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 10 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 15 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 15 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 10 ns

Para mais informações, entre em contato.