Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: DIP-4
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 600 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 18 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 1,3 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 3,37 mm
Comprimento: 6,29 mm
Série: IRFD
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 5 mm
Marca: Vishay / Siliconix
Transcondutância em avanço - Mín: 0,71 S
Tempo de queda: 25 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 29 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 21 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 9,6 ns
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