Detalhes do Produto
Circuito Integrado IRLD120PBF
Especificações
Atributo de produto Valor do atributo Procurar semelhante
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: DIP-4
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 1.3 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 270 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 10 V, + 10 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 12 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 1,3 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Tubo
Configuração: Single
Altura: 3,37 mm
Comprimento: 6,29 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 1.9 S
Tempo de queda: 27 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 64 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 2500
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 21 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 9,8 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Atributo de produto Valor do atributo Procurar semelhante
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: DIP-4
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 1.3 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 270 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 10 V, + 10 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 12 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 1,3 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Tubo
Configuração: Single
Altura: 3,37 mm
Comprimento: 6,29 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 1.9 S
Tempo de queda: 27 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 64 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 2500
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 21 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 9,8 ns
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Especificações Técnicas
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