Detalhes do Produto
Circuito Integrado K6R1008V1D-TI10 Smd
Especificações
Fabricante: ISSI
Categoria de produto: SRAM
Tamanho da memória: 1 Mbit
Organização: 128 k x 8
Tempo de acesso: 12 ns
Tipo de interface: Paralela
Tensão de alimentação - Máx: 3,63 V
Tensão de alimentação - Mín: 2,97 V
Tensão de alimentação - Máx: 45 mA
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 85 C
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TSOP-32
Marca: ISSI
Taxa de dados: SDR
Sensível à umidade: Sim
Número de portas: 1
Tipo de Produto: SRAM
Série: IS63WV1024BLL
Subcategoria: Memória e armazenamento de dados
Tipo: Assíncrono
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: ISSI
Categoria de produto: SRAM
Tamanho da memória: 1 Mbit
Organização: 128 k x 8
Tempo de acesso: 12 ns
Tipo de interface: Paralela
Tensão de alimentação - Máx: 3,63 V
Tensão de alimentação - Mín: 2,97 V
Tensão de alimentação - Máx: 45 mA
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 85 C
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TSOP-32
Marca: ISSI
Taxa de dados: SDR
Sensível à umidade: Sim
Número de portas: 1
Tipo de Produto: SRAM
Série: IS63WV1024BLL
Subcategoria: Memória e armazenamento de dados
Tipo: Assíncrono
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Especificações Técnicas
| Marca | Samsung |
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