Especificações
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SOIC-8
Polaridade do transistor: N-Channel, P-Channel
Número de canais: 2 canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 40 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5,8 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 45 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 800 mV, 1,8 V
Qg - Carga na porta: 37,56 nC, 33,66 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2,14 W
Modo de canal: Aprimoramento
Qualificação: AEC-Q101
Marca: Diodes Incorporated
Configuração: Dual
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
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