Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 260 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 330 W
Modo de canal: realce
Marca: Infineon / IR
Configuração: Single
Tempo de queda: 57 ns
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 160 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 40 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 16 ns
Largura: 4,4 mm
Compartilhe: