Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos IGBT de Silício
Configuração: Hex
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,5 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 80 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 300 nA
Pd - Dissipação de potência: 360 W
Caixa / Gabinete: EconoPIM3
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Embalagem: Bandeja
Altura: 17 mm
Comprimento: 122 mm
Tecnologia: Si
Largura: 62 mm
Marca: Infineon Technologies
Estilo de montagem: Chassis Mount
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Analise do número da peça: BSM50GP120BOSA1
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