Carregando...
Detalhes do Produto
Transistor BD911
Transistor Bipolar de Junção
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máxima: 15 A
Pd - Dissipação de potência: 90 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BD911
hFE máx. de ganho de corrente DC: 150
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 15
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máxima: 15 A
Pd - Dissipação de potência: 90 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BD911
hFE máx. de ganho de corrente DC: 150
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 15
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
|---|
Compartilhe: