Detalhes do Produto
Transistor 04N60C3 Smd
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFETs
REACH-SVHC:
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de condução contínua: 4,5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 950 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 3,9 V
Qg - Carga na porta: 19 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 50 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: CoolMOS
Série: CoolMOS C3
Embalagem: Carretel
Embalagem: Fita Cortada
Marca: Infineon Technologies
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5mm
Tipo de produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Largura: 6,22 mm
Aliases do número da peça: SPD04N60C3 SP001117764
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFETs
REACH-SVHC:
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de condução contínua: 4,5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 950 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 3,9 V
Qg - Carga na porta: 19 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 50 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: CoolMOS
Série: CoolMOS C3
Embalagem: Carretel
Embalagem: Fita Cortada
Marca: Infineon Technologies
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5mm
Tipo de produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Largura: 6,22 mm
Aliases do número da peça: SPD04N60C3 SP001117764
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Especificações Técnicas
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