Detalhes do Produto
Transistor 12NM50 - STP12NM50
Mosfet Canal N 500 Volts 0.47 Ohms 7.5 Amperes
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 410 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 25 V, + 25 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 90 W
Modo de canal: realce
Configuração: Sozinho
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STB12NM60
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 10 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 9 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 60 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 15 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet Canal N 500 Volts 0.47 Ohms 7.5 Amperes
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 410 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 25 V, + 25 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 90 W
Modo de canal: realce
Configuração: Sozinho
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STB12NM60
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 10 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 9 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 60 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 15 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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