Detalhes do Produto
Transistor 18N20GI = AP18N20GI
Modo de Aprimoramento Canal N Power Mosfet
BVDSS 200V
RDS (ON) 170mΩ
ID 18A
Descrição
Os MOSFETs de energia avançados da APEC fornecem ao projetista a melhor combinação de comutação rápida, design de dispositivo robusto, baixa resistência e economia.
O pacote de isolamento TO-220CFM é amplamente preferido para aplicações de furo passante comercial-industrial.
Carga de porta baixa
Requisito de acionamento simples
Característica de troca rápida
Para mais informações, entre em contato.
Modo de Aprimoramento Canal N Power Mosfet
BVDSS 200V
RDS (ON) 170mΩ
ID 18A
Descrição
Os MOSFETs de energia avançados da APEC fornecem ao projetista a melhor combinação de comutação rápida, design de dispositivo robusto, baixa resistência e economia.
O pacote de isolamento TO-220CFM é amplamente preferido para aplicações de furo passante comercial-industrial.
Carga de porta baixa
Requisito de acionamento simples
Característica de troca rápida
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Especificações Técnicas
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