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Detalhes do Produto
Transistor 2N1613 ST
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-5-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 75 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Corrente do coletor DC máxima: 500 mA
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 80 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2N1613
Embalagem: A granel
Marca: STMicroelectronics
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 20
Altura: 6,6 mm
Comprimento: 9,4 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 9,4 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-5-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 75 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Corrente do coletor DC máxima: 500 mA
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 80 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2N1613
Embalagem: A granel
Marca: STMicroelectronics
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 20
Altura: 6,6 mm
Comprimento: 9,4 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 9,4 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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