Detalhes do Produto
Transistor 2N1613 TO-39
Especificações
Atributo de produto Valor do atributo Procurar semelhante
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 75 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 60 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Tecnologia: Si
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Atributo de produto Valor do atributo Procurar semelhante
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 75 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 60 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Tecnologia: Si
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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