Detalhes do Produto
Transistor 2N1893 Sgs
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-5-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 120 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,2 V
Corrente do coletor DC máximo: 500 mA
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 70 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: 2N1893
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínuo: 0,5 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
hFE máx. de ganho de corrente DC: 120
Altura: 1,5 mm
Comprimento: 9,4 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 9,4 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-5-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 120 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,2 V
Corrente do coletor DC máximo: 500 mA
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 70 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: 2N1893
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínuo: 0,5 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
hFE máx. de ganho de corrente DC: 120
Altura: 1,5 mm
Comprimento: 9,4 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 9,4 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
|---|
Compartilhe: