Detalhes do Produto
Transistor 2N1893
Especificações
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 120 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 50 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Tecnologia: Si
Marca: Vishay Semiconductors
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 20 a 100 uA, 10 V
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 120 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 50 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Tecnologia: Si
Marca: Vishay Semiconductors
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 20 a 100 uA, 10 V
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
Compartilhe: