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Detalhes do Produto
Transistor 2N2906
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante: Philips
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Estilo de montagem: ATRAVÉS DO ORIFÍCIO
Caixa / Gabinete: TO-18-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: ÚNICO
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: - 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.6 V
Pd - Dissipação de potência: 400 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 170 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
hFE máx. de ganho de corrente DC: 120 at - 10 mA, - 10 V
Altura: 5.33 mm
Comprimento: 5.84 mm
Tecnologia: Si
Largura: 5.84 mm
Marca: Philips
Tensão do coletor contínua: - 600 mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40 at - 10 mA, - 10 V
Tipo de Produto: BJTs - TRANSISTOR BIPOLAR
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante: Philips
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Estilo de montagem: ATRAVÉS DO ORIFÍCIO
Caixa / Gabinete: TO-18-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: ÚNICO
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: - 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.6 V
Pd - Dissipação de potência: 400 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 170 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
hFE máx. de ganho de corrente DC: 120 at - 10 mA, - 10 V
Altura: 5.33 mm
Comprimento: 5.84 mm
Tecnologia: Si
Largura: 5.84 mm
Marca: Philips
Tensão do coletor contínua: - 600 mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40 at - 10 mA, - 10 V
Tipo de Produto: BJTs - TRANSISTOR BIPOLAR
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Philips |
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