Detalhes do Produto
Transistor 2N3766
Especificações
Atributo de produto Valor do atributo Procurar semelhante
Fabricante: Semicondutor Central
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-66-2
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máximo: -
Pd - Dissipação de potência: 25 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 10 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Série: 2N3766
Embalagem: Tubo
Marca: Semicondutor Central
Tensão do coletor contínua: 4 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 30 a 50 mA, 5 V
hFE máx. de ganho de corrente DC: 160 a 500 mA, 5 V
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Atributo de produto Valor do atributo Procurar semelhante
Fabricante: Semicondutor Central
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-66-2
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máximo: -
Pd - Dissipação de potência: 25 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 10 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Série: 2N3766
Embalagem: Tubo
Marca: Semicondutor Central
Tensão do coletor contínua: 4 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 30 a 50 mA, 5 V
hFE máx. de ganho de corrente DC: 160 a 500 mA, 5 V
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
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Especificações Técnicas
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