Fabricante: onsemi
Categoria do produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Tecnologia: Si
Caixa/Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Única
Corrente do coletor DC máxima: 200 mA
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Pd - Dissipação de potência: 625 mW
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Marca: onsemi/Fairchild
Tensão do coletor contínuo: 200 mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 30 a 100 uA, 1 V, 40 a 1 mA, 1 V, 50 a 10 mA, 1 V, 30 a 50 mA, 1 V, 15 a 100 mA, 1 V
hFE máx. ganho de corrente DC: 150
Altura: 5,33mm
Comprimento: 5,2mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Largura: 4,19 mm
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