Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de Produto: Transistores Bipolares - BJT
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: solteiro
Coletor- Tensão do Emissor VCEO Máx.: 40 V
Coletor - Tensão Base VCBO: 40 V
Emissor - Tensão Base VEBO: 5 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 0,4 V
Corrente máxima do coletor DC: 0,2 A
Pd - Dissipação de energia: 250 mW
Produto de ganho de largura de banda fT: 250 MHz
Temperatura Mínima de Operação: - 55 C
Temperatura Máxima de Operação: + 150 C
Embalagem: Volume
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor
Corrente de coletor contínua: 0,2 A
Coletor DC / Ganho de base hfe Min: 60
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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