Detalhes do Produto
Transistor 2N3964
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante:Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 45 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Tecnologia: Si
Marca: Diodes Incorporated
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 250 at 1 mA, 5 V
Tipo de Produto: BJTs -Transistor Bipolar
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante:Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 45 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Tecnologia: Si
Marca: Diodes Incorporated
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 250 at 1 mA, 5 V
Tipo de Produto: BJTs -Transistor Bipolar
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Especificações Técnicas
| Marca | Motorola |
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