Detalhes do Produto
Transistor 2N4402
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 750 mV
Corrente do coletor DC máximo: 600 mA
Pd - Dissipação de potência: 625 mW
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínuo: 0,6 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 30 a 1 mA, 1 V, 50 a 10 mA, 1 V, 50 a 150 mA, 2 V, 20 a 500 mA, 2 V
hFE máx. de ganho de corrente DC: 150
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,19 mm
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 750 mV
Corrente do coletor DC máximo: 600 mA
Pd - Dissipação de potência: 625 mW
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínuo: 0,6 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 30 a 1 mA, 1 V, 50 a 10 mA, 1 V, 50 a 150 mA, 2 V, 20 a 500 mA, 2 V
hFE máx. de ganho de corrente DC: 150
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,19 mm
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Especificações Técnicas
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