Detalhes do Produto
Transistor 2N5061
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: SCRs
IBO máx. de corrente de abertura: 10 A
Voltagem de estado de corte repetitivo qualificado VDRM: 60 V
Corrente de fuga de estado de corte @ VDRM IDRM: 10 uA
Vf - Tensão no sentido direto: 1.7 V
Tensão inversa de pico de gate máximo: 5 V
Tensão de disparo de gatilho - Vgt: 800 mV
Corrente de disparo de gatilho - Igt: 0,2 mA
Corrente de retenção - Ih máximo: 5 mA
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 110 C
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3 (TO-226-3)
Potência nominal: 510 mA
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tipo: SCR
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor
Corrente On-State não repetitiva: 10 A
Tipo de Produto: SCRs
Subcategoria: Tiristores
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: SCRs
IBO máx. de corrente de abertura: 10 A
Voltagem de estado de corte repetitivo qualificado VDRM: 60 V
Corrente de fuga de estado de corte @ VDRM IDRM: 10 uA
Vf - Tensão no sentido direto: 1.7 V
Tensão inversa de pico de gate máximo: 5 V
Tensão de disparo de gatilho - Vgt: 800 mV
Corrente de disparo de gatilho - Igt: 0,2 mA
Corrente de retenção - Ih máximo: 5 mA
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 110 C
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3 (TO-226-3)
Potência nominal: 510 mA
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tipo: SCR
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor
Corrente On-State não repetitiva: 10 A
Tipo de Produto: SCRs
Subcategoria: Tiristores
Para mais informações entre em contato.
Especificações Técnicas
Compartilhe: