Detalhes do Produto
Transistor 2N5087
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 3 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 300 mV
Corrente do coletor DC máxima: 50 mA
Pd - Dissipação de potência: 1,5 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Granel
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 0,05 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 250
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,19 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 3 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 300 mV
Corrente do coletor DC máxima: 50 mA
Pd - Dissipação de potência: 1,5 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Granel
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 0,05 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 250
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,19 mm
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Especificações Técnicas
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