Detalhes do Produto
Transistor 2N5192
Especificações
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 40.000 mW
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Tecnologia: Si
Marca: Vishay Semiconductors
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 20 a 1,5 A, 2 V
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 40.000 mW
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Tecnologia: Si
Marca: Vishay Semiconductors
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 20 a 1,5 A, 2 V
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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Especificações Técnicas
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