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Detalhes do Produto
Transistor 2N5550
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 140 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 160 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,25 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,6 A
Pd - Dissipação de potência: 625 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 300 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 0,6 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 60
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 140 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 160 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,25 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,6 A
Pd - Dissipação de potência: 625 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 300 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 0,6 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 60
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
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