Detalhes do Produto
Transistor 2N5566
Especificações
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: JFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-71
Polaridade do transistor: Canal N
Configuração: Dual
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: - 40 V
Tensão de corte do portão - fonte: - 3 V
Corrente da fonte de drenagem a Vgs = 0: 5 mA a 30 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 100 Ohms
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Faixa de temperatura operacional: - 55 C a + 150 C
Tipo: JFET
Marca: Vishay / Siliconix
Transcondutância em avanço - Mín: 0,0075 S
Tipo de Produto: JFETs
Subcategoria: Transistores
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: JFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-71
Polaridade do transistor: Canal N
Configuração: Dual
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: - 40 V
Tensão de corte do portão - fonte: - 3 V
Corrente da fonte de drenagem a Vgs = 0: 5 mA a 30 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 100 Ohms
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Faixa de temperatura operacional: - 55 C a + 150 C
Tipo: JFET
Marca: Vishay / Siliconix
Transcondutância em avanço - Mín: 0,0075 S
Tipo de Produto: JFETs
Subcategoria: Transistores
Para mais informações entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Motorola |
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