Detalhes do Produto
Transistor 2N5953
Transistor RF JFET Canal N RF Transistor
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistor RF JFET
Tipo de transistor: JFET
Tecnologia: Si
Polaridade do transistor: Canal N
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 15 V
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5 mA
Voltagem do portão de dreno máximo: 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 350 mW
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Configuração: Single
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Produto: RF JFET
Série: 2N5953
Tipo: JFET
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão de corte do portão - fonte: 0,8 V a 3 V
Tipo de Produto: Transistor RF JFET
Subcategoria: Transistor
Para mais informações, entre em contato.
Transistor RF JFET Canal N RF Transistor
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistor RF JFET
Tipo de transistor: JFET
Tecnologia: Si
Polaridade do transistor: Canal N
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 15 V
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5 mA
Voltagem do portão de dreno máximo: 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 350 mW
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Configuração: Single
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Produto: RF JFET
Série: 2N5953
Tipo: JFET
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão de corte do portão - fonte: 0,8 V a 3 V
Tipo de Produto: Transistor RF JFET
Subcategoria: Transistor
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Especificações Técnicas
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