Detalhes do Produto
Transistor 2N6107
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 70 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 3,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 7 A
Pd - Dissipação de potência: 40 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 10 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2N6107
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 7 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 30
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,82 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 70 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 3,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 7 A
Pd - Dissipação de potência: 40 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 10 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2N6107
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 7 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 30
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,82 mm
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Especificações Técnicas
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