Detalhes do Produto
Transistor 2N6517
Transistor Bipolar de Junção - BJT
Especificações
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 350 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 350 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 625 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2N6517
hFE máx. de ganho de corrente DC: 20 a 1 mA, 10 V
Altura: 4,01 mm
Comprimento: 4,77 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2,41 mm
Marca: Diodes Incorporated
Tensão do coletor contínua: 0,5 A
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção - BJT
Especificações
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 350 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 350 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 625 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2N6517
hFE máx. de ganho de corrente DC: 20 a 1 mA, 10 V
Altura: 4,01 mm
Comprimento: 4,77 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2,41 mm
Marca: Diodes Incorporated
Tensão do coletor contínua: 0,5 A
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
Compartilhe: