Detalhes do Produto
Transistor 2N697 Motorola
Especificações
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-5-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,5 V
Pd - Dissipação de potência: 600 mW
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Embalagem: A granel
Marca: Tecnologia de Microchip
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40 a 150 mA, 10 VDC
hFE máx. ganho de corrente DC: 120 a 150 mA, 10 VDC
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-5-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,5 V
Pd - Dissipação de potência: 600 mW
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Embalagem: A granel
Marca: Tecnologia de Microchip
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40 a 150 mA, 10 VDC
hFE máx. ganho de corrente DC: 120 a 150 mA, 10 VDC
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
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Especificações Técnicas
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