Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 350 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,2 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 800 mV
Qg - Carga na porta: -
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 400 mW
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Granel
Marca: onsemi / Fairchild
Configuração: Solteiro
Transcondutância em avanço - Mín: 0.1 S
Altura: 5,33 milímetros
Largura: 5,2 mm
Produto: MOSFET Pequeno Sinal
Tipo de Produto: MOSFET
Série: 2N7000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: FET
Largura: 4,19 mm
Aliases de número de peça: 2N7000
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