Detalhes do Produto
Transistor 2SA1962
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-3P-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 230 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 230 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máximo: 17 A
Pd - Dissipação de potência: 130000 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 30 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2SA1962
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 15 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 55 em 1 A, 5 V
Altura: 19,9 mm
Comprimento: 15,6 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,8 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-3P-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 230 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 230 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máximo: 17 A
Pd - Dissipação de potência: 130000 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 30 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2SA1962
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 15 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 55 em 1 A, 5 V
Altura: 19,9 mm
Comprimento: 15,6 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,8 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Toshiba |
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