Detalhes do Produto
Transistor 2SA608
Transistor Bipolar de Junção PNP 0.15 Amper 50 Volts
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Estilo de montagem: Através Do Orifício
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 50 V, 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: - 6 V, 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: - 0.3 V, 0.3 V
Pd - Dissipação de potência: 500 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 200 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
hFE máx. de ganho de corrente DC: 560
Tecnologia: Si
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: - 150 mA, 150 mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 70
Tipo de Produto: BJTs - Transistor Bipolar
Subcategoria: Transistor
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção PNP 0.15 Amper 50 Volts
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Estilo de montagem: Através Do Orifício
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 50 V, 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: - 6 V, 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: - 0.3 V, 0.3 V
Pd - Dissipação de potência: 500 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 200 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
hFE máx. de ganho de corrente DC: 560
Tecnologia: Si
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: - 150 mA, 150 mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 70
Tipo de Produto: BJTs - Transistor Bipolar
Subcategoria: Transistor
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Especificações Técnicas
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