Detalhes do Produto
Transistor 2SC2125
Transistor de Silico NPN
Designador de tipo: 2SC2125
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 50 W
Tensão Máxima de Base do Coletor | Vcb |: 2200 V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 800 V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 5 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 5 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 150 ° C
Frequência de transição (ft): 3 MHz
Capacitância do coletor (Cc): 125 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 8
Figura de ruído, dB: -
Pacote: TO-3
Para mais informações, entre em contato.
Transistor de Silico NPN
Designador de tipo: 2SC2125
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 50 W
Tensão Máxima de Base do Coletor | Vcb |: 2200 V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 800 V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 5 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 5 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 150 ° C
Frequência de transição (ft): 3 MHz
Capacitância do coletor (Cc): 125 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 8
Figura de ruído, dB: -
Pacote: TO-3
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Toshiba |
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