Detalhes do Produto
Transistor 2SC2236= 2SC 200
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 30 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 30 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1,5 A
Pd - Dissipação de potência: 900 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 120 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2SC2236
Marca: Toshiba
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 160 a 500 mA, 2 V
hFE máx. de ganho de corrente DC: 160 a 500 mA, 2 V
Altura: 8,2 mm
Comprimento: 5,1 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,1 mm
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 30 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 30 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1,5 A
Pd - Dissipação de potência: 900 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 120 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2SC2236
Marca: Toshiba
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 160 a 500 mA, 2 V
hFE máx. de ganho de corrente DC: 160 a 500 mA, 2 V
Altura: 8,2 mm
Comprimento: 5,1 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,1 mm
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Especificações Técnicas
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