Especificações
Fabricante: NXP
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 800 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 1200 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Corrente do coletor DC máximo: 3 A
Pd - Dissipação de potência: 80000 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 8 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Tecnologia: Si
Marca: NXP Semiconductors
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 8 a 1,5 A, 5 V
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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