Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Polaridade do transistor: NPN
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,3 V
Corrente do coletor DC máxima: 400 mA
Pd - Dissipação de potência: 500 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 200 MHz
hFE máx. de ganho de corrente DC: 560
Tecnologia: Si
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 150 mA
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 160
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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