Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-3P-HIS-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 1500 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 10 A
Pd - Dissipação de potência: 50000 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 1,7 MHz
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2SC5387
Altura: 16,5 mm
Comprimento: 15,5 mm
Tecnologia: Si
Largura: 5,5 mm
Marca: Toshiba
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 15
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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