Detalhes do Produto
Transistor 2SD1187
Designador de tipo: 2SD1187
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 80 W
Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 100 V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 80 V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 5 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 10 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 150 ° C
Frequência de transição (ft): 10 MHz
Capacitância do coletor (Cc): 350 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 70
Figura de ruído, dB: -
Pacote: TO-247
Para mais informações, entre em contato.
Designador de tipo: 2SD1187
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 80 W
Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 100 V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 80 V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 5 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 10 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 150 ° C
Frequência de transição (ft): 10 MHz
Capacitância do coletor (Cc): 350 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 70
Figura de ruído, dB: -
Pacote: TO-247
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Toshiba |
|---|
Compartilhe: