Detalhes do Produto
Transistor 2SD636
Designador de tipo: 2SD636
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação Máxima de Potência do Coletor (Pc): 0,4 W
Tensão máxima de base do coletor |Vcb|: 30 V
Tensão máxima coletor-emissor |Vce|: 25 V
Tensão máxima de base do emissor |Veb|: 7 V
Corrente máxima do coletor |Ic max|: 0,1 A
Máx. Temperatura de Junção Operacional (Tj): 135°C
Frequência de Transição (pés): 75 MHz
Capacitância do Coletor (Cc): 3,5 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 90
Figura de ruído, dB: -
Pacote: X73
Para mais informações, entre em contato.
Designador de tipo: 2SD636
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação Máxima de Potência do Coletor (Pc): 0,4 W
Tensão máxima de base do coletor |Vcb|: 30 V
Tensão máxima coletor-emissor |Vce|: 25 V
Tensão máxima de base do emissor |Veb|: 7 V
Corrente máxima do coletor |Ic max|: 0,1 A
Máx. Temperatura de Junção Operacional (Tj): 135°C
Frequência de Transição (pés): 75 MHz
Capacitância do Coletor (Cc): 3,5 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 90
Figura de ruído, dB: -
Pacote: X73
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Especificações Técnicas
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