Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: PW-Mold-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 190 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 800 mV
Qg - Carga na porta: 22 nC
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 20 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Série: 2SJ377
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 5,5 mm
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 55 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 200 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 45 ns
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