Detalhes do Produto
Transistor 2SJ516
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 250 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 800 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 35 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 15,1 mm
Comprimento: 10,16 mm
Série: 2SJ516
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 4,45 mm
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 6 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 17 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 250 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 19 ns
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 250 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 800 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 35 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 15,1 mm
Comprimento: 10,16 mm
Série: 2SJ516
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 4,45 mm
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 6 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 17 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 250 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 19 ns
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Especificações Técnicas
| Marca | Toshiba |
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