Detalhes do Produto
Transistor 2SK1461
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5.8 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 46,5 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 140 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: SuperMESH
Configuração: Single
Altura: 20,15 mm
Comprimento: 15,75 mm
Série: STW7NK90Z
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tipo: MOSFET
Largura: 5,15 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 5 S
Tempo de queda: 20 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 45 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 20 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 17 ns
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5.8 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 46,5 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 140 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: SuperMESH
Configuração: Single
Altura: 20,15 mm
Comprimento: 15,75 mm
Série: STW7NK90Z
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tipo: MOSFET
Largura: 5,15 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 5 S
Tempo de queda: 20 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 45 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 20 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 17 ns
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Especificações Técnicas
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