Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-3PN-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 20 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 270 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Sozinho
Altura: 20 mm
Comprimento: 15,5 mm
Série: 2SK2837
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,5 mm
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 50 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 30 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 71 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 23 ns
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