Detalhes do Produto
Transistor 2SK3565
Mosfet Canal N 900 Volts 5 Amperes
Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220FP-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 45 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: MOSIV
Configuração: Sozinho
Altura: 15 mm
Comprimento: 10 mm
Série: 2SK3565
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,5 mm
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 60 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 30 ns
Subcategoria: MOSFETs
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet Canal N 900 Volts 5 Amperes
Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220FP-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 45 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: MOSIV
Configuração: Sozinho
Altura: 15 mm
Comprimento: 10 mm
Série: 2SK3565
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,5 mm
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 60 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 30 ns
Subcategoria: MOSFETs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Toshiba |
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