Detalhes do Produto
Transistor 2SK3868
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,7 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 35 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Série: 2SK3868
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 10 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 10 ns
Subcategoria: MOSFET
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,7 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 35 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Série: 2SK3868
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 10 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 10 ns
Subcategoria: MOSFET
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Especificações Técnicas
| Marca | Toshiba |
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