Detalhes do Produto
Transistor 30N60A4D = HGTG30N60A4D
Transistor IGBT 600 Volts
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.8 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 75 A
Pd - Dissipação de potência: 463 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: HGTG30N60A4D
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 75 A
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 75 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 250 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Aliases de núm de peça: HGTG30N60A4D
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT 600 Volts
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.8 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 75 A
Pd - Dissipação de potência: 463 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: HGTG30N60A4D
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 75 A
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 75 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 250 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Aliases de núm de peça: HGTG30N60A4D
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Fairchild |
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