Detalhes do Produto
Transistor 3DD13009 = 13009
Designador de tipo: 3DD13009
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 2 W
Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 700 V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 400 V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 9 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 12 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 150 ° C
Frequência de transição (ft): 4 MHz
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 8
Figura de ruído, dB: -
Pacote: TO-220
Para mais informações, entre em contato.
Designador de tipo: 3DD13009
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 2 W
Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 700 V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 400 V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 9 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 12 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 150 ° C
Frequência de transição (ft): 4 MHz
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 8
Figura de ruído, dB: -
Pacote: TO-220
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Especificações Técnicas
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